Транзистор польовий AON6512

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: низьковольтні DC-DC перетворювачі, BMS, автомобільна електроніка, драйвери двигунів, ключі навантаження та системи керування живленням.

Технічні характеристики

• Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
• Корпус: DFN08
• Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
• Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 30 В
• Постійний струм стоку (ID), за карткою: 85 А
• Потужність розсіювання (PD), за карткою: 30 Вт
• VDS: 30 В
• VGS(th): 1…2 В (typ 1,5 В)
• VGS(max): ±20 В
• RDS(on): max 1,7 мОм @10 В
• TJ: -55…+150 °C

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
• Керування силовими лініями у BMS
• Комутація навантаження
• Керування лініями живлення
• Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус DFN08 є низькоіндуктивним силовим SMD-корпусом з кількома паралельними контактами/тепловою площадкою. Його не можна описувати просто як «1-G, 2-D, 3-S». Для монтажу та PCB використовуйте графічний pin/land pattern datasheet саме цієї моделі; силова площадка Drain/Source займає значну частину корпусу.