P-Channel MOSFET -45V, -90mA, 9Ω
Опис
це P-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: низьковольтні DC-DC перетворювачі, BMS, автомобільна електроніка, драйвери двигунів, ключі навантаження та системи керування живленням.
Технічні характеристики
- Тип: P-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
- Корпус: SOT-23
- Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
- Напруга стік-витік (VDS), за карткою: -45 В
- Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 9 Ом
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Керування силовими лініями у BMS
- Комутація навантаження
- Керування лініями живлення
- Силова або сигнальна комутація
Розпіновка
Корпус SOT-23, стандартна для цієї групи MOSFET орієнтація, вид зверху: 1.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | SOT-23 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 45 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 14 |
| Полярність | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1-3,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 0,09 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 0,33 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 10 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 10 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 6,61 ₴


