Транзистор польовий FQD10N65SE

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: імпульсні джерела живлення (SMPS), інвертори, PFC, електронні баласти, високовольтні перетворювачі та силові ключові каскади.

Технічні характеристики

• Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
• Корпус: TO-252
• Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
• Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 650 В
• Постійний струм стоку (ID), за карткою: 10 А
• Потужність розсіювання (PD), за карткою: 45 Вт
• Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 900 мОм

Функціонал

• Робота в інверторах
• Робота в імпульсних джерелах живлення
• Робота у вузлах PFC
• Робота в електронних баластах
• Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус TO-252. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Велика металева/теплова площадка зазвичай електрично з'єднана з Drain (D).