-16.5A, -100V, RDS(on) = 0.19Ω @VGS = -10 V
Опис
це P-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, імпульсні джерела живлення, драйвери та силові комутаційні вузли.
Технічні характеристики
- Тип: P-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
- Корпус: TO-220
- Монтаж: THT (вивідний монтаж)
- Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 0.19 Ω
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в інверторах
- Робота в імпульсних джерелах живлення
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Силова або сигнальна комутація
Розпіновка
Корпус TO-220. Якщо дивитися на сторону з маркуванням, виводами вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Металева задня пластина/фланець у звичайному неізольованому корпусі зазвичай з'єднана з Drain.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO-220 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 30 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 100 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,19 |
| Полярність | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 16,5 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 100 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 17 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 45 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 59,74 ₴



