Транзистор польовий IPLU300N04S4-R8 (4N04R8)

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: низьковольтні DC-DC перетворювачі, BMS, автомобільна електроніка, драйвери двигунів, ключі навантаження та системи керування живленням.

Технічні характеристики

• Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
• Корпус: H-PSOF-8-1
• Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
• Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 40 В
• Постійний струм стоку (ID), за карткою: 300 А
• Потужність розсіювання (PD), за карткою: 40 Вт

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
• Керування силовими лініями у BMS
• Комутація навантаження
• Керування лініями живлення
• Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус H-PSOF-8-1 є низькоіндуктивним силовим SMD-корпусом з кількома паралельними контактами/тепловою площадкою. Його не можна описувати просто як «1-G, 2-D, 3-S». Для монтажу та PCB використовуйте графічний pin/land pattern datasheet саме цієї моделі; силова площадка Drain/Source займає значну частину корпусу.