N-ch; 30V; 5.8A; 2.5W; 0.035 Ohm; Vf=0.39V
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: низьковольтні DC-DC перетворювачі, BMS, автомобільна електроніка, драйвери двигунів, ключі навантаження та системи керування живленням.
Технічні характеристики
- Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
- Корпус: SO-8
- Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
- Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 30 В
- Постійний струм стоку (ID), за карткою: 5.8 А
- Потужність розсіювання (PD), за карткою: 2.5 Вт
- Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 0.035 Ом
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Керування силовими лініями у BMS
- Комутація навантаження
- Керування лініями живлення
- Силова або сигнальна комутація
Розпіновка
Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET. Типове розташування силових контактів: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D) Перед заміною або трасуванням PCB бажано звірити datasheet конкретної ревізії.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | SO-8 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,035 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 5,8 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 2 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 6,7 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 20 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 29 ₴


