Транзистор польовий IRLBD59N04E

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: низьковольтні DC-DC перетворювачі, BMS, автомобільна електроніка, драйвери двигунів, ключі навантаження та системи керування живленням.

Технічні характеристики

• Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
• Корпус: D2-Pack-4
• Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
• Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 40 В
• Постійний струм стоку (ID), за карткою: 59 А
• Потужність розсіювання (PD), за карткою: 130 Вт
• Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 0.018 Ом
• Особливості: Logic Level / керування зниженою напругою затвора (якщо це підтверджує datasheet конкретної ревізії); вбудований температурний датчик
• VDS: 40 В
• ID: 59 А (розрахунково; package limitation в datasheet нижча)
• IDM: 230 А
• RDS(on): max 18 мОм @10 В
• VGS(th): 1…2 В
• TJ: -55…+175 °C
• Вбудований температурний датчик на двох окремих виводах T1/T2

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
• Керування силовими лініями у BMS
• Комутація навантаження
• Керування лініями живлення
• Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус 5-lead D2PAK (SMD-220): 1. G — Gate 2. T1 — анод температурного датчика 3. D — Drain 4. T2 — катод температурного датчика 5. S — Source Велика теплова площадка пов'язана зі стоком Drain.