Транзистор польовий IRFR210 (TPM2006NHK3)

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, імпульсні джерела живлення, драйвери та силові комутаційні вузли.

Технічні характеристики

• Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
• Корпус: TO-252-3L
• Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
• Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 200 В
• Постійний струм стоку (ID), за карткою: 6 А
• Потужність розсіювання (PD), за карткою: 38.4 Вт
• Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 690 мОм

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Робота в інверторах
• Робота в імпульсних джерелах живлення
• Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
• Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус TO-252-3L. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Велика металева/теплова площадка зазвичай електрично з'єднана з Drain (D).