+380 (96) 723-12-25
+380 (95) 427-17-95
+380 (93) 170-21-75
НІКОМ радіо-маркет

Транзистор польовий FDS3570

  • Готово до відправки
  • Код: A118182

18,56 ₴

Транзистор польовий FDS3570
Транзистор польовий FDS3570Готово до відправки
18,56 ₴

Компанія тимчасово не приймає замовлення

повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
N-ch; 80V; 9A; 2.5W; 0.019 Ohm; 32ns; Logic Level

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: низьковольтні DC-DC перетворювачі, BMS, автомобільна електроніка, драйвери двигунів, ключі навантаження та системи керування живленням.

Технічні характеристики

  • Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
  • Корпус: SO-8
  • Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
  • Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 80 В
  • Постійний струм стоку (ID), за карткою: 9 А
  • Потужність розсіювання (PD), за карткою: 2.5 Вт
  • Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 0.019 Ом
  • Особливості: Logic Level / керування зниженою напругою затвора (якщо це підтверджує datasheet конкретної ревізії)

Функціонал

  • Робота у DC-DC перетворювачах
  • Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
  • Керування силовими лініями у BMS
  • Комутація навантаження
  • Керування лініями живлення
  • Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET. Типове розташування силових контактів: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D) Перед заміною або трасуванням PCB бажано звірити datasheet конкретної ревізії.

Характеристики
Основні
ВиробникFairchild Semiconductor
Користувальницькі характеристики
КорпусSO-8
Число каналів1
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт80
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,023
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт2-4
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер9
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт2,5
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд20
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд60
Інформація для замовлення
  • Ціна: 18,56 ₴