Транзистор польовий SHY1920W (IXFH80N20, IXFH90N20)

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, імпульсні джерела живлення, драйвери та силові комутаційні вузли.

Технічні характеристики

• Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
• Корпус: TO-247
• Монтаж: THT (вивідний монтаж)
• Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 200 В
• Потужність розсіювання (PD), за карткою: 550 Вт
• Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 23 мОм

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Робота в інверторах
• Робота в імпульсних джерелах живлення
• Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
• Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус TO-247. Якщо дивитися на сторону з маркуванням, виводами вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Металева задня пластина/фланець у звичайному неізольованому корпусі зазвичай з'єднана з Drain.