Транзистор польовий IRF7509

Опис

це комплементарна MOSFET-збірка (1× N-channel + 1× P-channel) у корпусі MICRO-8. Об'єднання двох ключів в одному корпусі зменшує розміри та паразитні індуктивності. Типове застосування: DC-DC перетворювачі, керування живленням, напівмости, захист акумуляторів, ключі навантаження та компактні імпульсні вузли.

Технічні характеристики

• Тип: комплементарна MOSFET-збірка (1× N-channel + 1× P-channel)
• Корпус: MICRO-8
• Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
• Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 30 В
• Постійний струм стоку (ID), за карткою: 2.7 А
• Потужність розсіювання (PD), за карткою: 1.25 Вт
• Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 0.11 Ом
• Особливості: два MOSFET в одному корпусі
• VDS: +30 В (N) / -30 В (P)
• ID: +2,7 А (N) / -2,0 А (P)
• VGS(max): ±20 В
• VGS(th): мін. +1 В (N) / -1 В (P)
• TJ(max): +150 °C

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Робота в імпульсних джерелах живлення
• Захист акумуляторних ліній
• Комутація навантаження
• Керування лініями живлення

Розпіновка

Корпус Micro-8, комплементарний N+P MOSFET. Розпіновка є manufacturer-specific; перед трасуванням плати потрібно звірити графічний pinout саме IRF7509/IRF7509PbF. Не переносити автоматично схему виводів від SO-8 AO4600/AF4502C.