Транзистор STU309D

Опис

це комплементарна збірка польових MOSFET-транзисторів, що містить N- та P-канальний ключ в одному корпусі TO-252-4L. Такі збірки застосовуються у вузлах керування живленням, DC-DC перетворювачах, ключах навантаження, синхронних та напівмостових каскадах, де важливі компактність і мала довжина з’єднань.

Технічні характеристики

• Тип / канал: комплементарний N+P MOSFET (1N + 1P)
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): N: +30 В; P: -30 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): N: +18 А; P: -14 А
• Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): N: +50 А; P: -50 А
• Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): N: до 23 мОм @10 В / 35 мОм @4,5 В; P: до 35 мОм @-10 В / 55 мОм @-4,5 В
• Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): залежить від каналу; див. datasheet
• Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В для обох каналів
• Максимальна потужність розсіювання (PD): до 11 Вт за умов datasheet
• Діапазон / максимальна температура переходу (TJ): -55…+175 °C
• Тип корпусу: TO-252-4L

Функціонал

• Комутація електричного навантаження
• Робота у ключових каскадах перетворювачів живлення

Розпіновка

Корпус TO-252-4L, вид на сторону з маркуванням: 1. S1 — Source N-каналу. 2. G1 — Gate N-каналу. 3. S2 — Source P-каналу. 4. G2 — Gate P-каналу. Велика задня теплова площадка — спільний вузол D1/D2 (Drain обох каналів).