Транзистор польовий IRF5850
- Готово до відправки
- Код: A118119
35,38 ₴
Транзистор польовий IRF5850Готово до відправки
35,38 ₴
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
P; 20V; 2.2 A; 0.96 W; 0.135 ohm подвійний
Опис
це подвійний P-канальний MOSFET, тобто два польові транзистори в одному компактному корпусі TSOP-6. Він призначений для комутації живлення, захисту від переполюсовки, керування акумуляторними лініями та інших низьковольтних силових вузлів.
Технічні характеристики
- Тип / канал: подвійний P-канальний (2× P-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): -20 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): -2,2 А на канал
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): -9 А
- Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): до 0,135 Ом (умови залежать від datasheet)
- Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): низьковольтний P-MOSFET; точний діапазон див. datasheet ревізії
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±12 В
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 0,96 Вт
- Діапазон / максимальна температура переходу (TJ): -55…+150 °C
- Тип корпусу: TSOP-6
Функціонал
- Комутація електричного навантаження
- Захист ліній живлення від переполюсовки
- Керування живленням в акумуляторних вузлах
Розпіновка
Корпус TSOP-6, два P-канальні MOSFET. Нумерацію слід орієнтувати за точкою/ключем корпусу. Для IRF5850 використовується роздільна схема двох каналів; перед розводкою плати обов’язково звіряйте графічний pinout саме з datasheet конкретної ревізії IRF5850, оскільки помилка місцями S/G/D може пошкодити вузол.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TSOP-6 |
| Число каналів | 2 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 12 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 20 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,135 |
| Полярність | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 0,45-1,2 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 2,2 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 0,96 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 8,3 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 31 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 35,38 ₴