Транзистор польовий AO4606

Опис

це комплементарна збірка польових MOSFET-транзисторів, що містить N- та P-канальний ключ в одному корпусі SO-8. Такі збірки застосовуються у вузлах керування живленням, DC-DC перетворювачах, ключах навантаження, синхронних та напівмостових каскадах, де важливі компактність і мала довжина з’єднань.

Технічні характеристики

• Тип / канал: комплементарний N+P MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): N: +30 В; P: -30 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): N: 6 А (у картці 6,9 А); P: -6,5 А (у картці -6 А)
• Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): N: +30 А; P: -30 А
• Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): N: до 30 мОм @10 В; P: до 28 мОм @-10 В (актуальний AOS datasheet)
• Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): N: 1,2…2,4 В; P — від’ємна порогова напруга
• Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В для обох каналів
• Максимальна потужність розсіювання (PD): 2 Вт на канал/кристал за умов datasheet
• Діапазон / максимальна температура переходу (TJ): -55…+150 °C
• Тип корпусу: SO-8

Функціонал

• Комутація електричного навантаження
• Робота у ключових каскадах перетворювачів живлення

Розпіновка

Корпус SO-8, вид зверху, точка/виїмка визначає вивід 1. За офіційним AOS datasheet: 1. S2 — Source N-каналу. 2. G2 — Gate N-каналу. 3. S1 — Source P-каналу. 4. G1 — Gate P-каналу. 5. D1 — Drain P-каналу. 6. D1 — Drain P-каналу. 7. D2 — Drain N-каналу. 8. D2 — Drain N-каналу.