Транзистор польовий IRF5210

Опис

це потужний P-канальний польовий транзистор (MOSFET) з ізольованим затвором збагаченого типу. Він розрахований на напругу стік-витік до -100 В та зручний для верхньої комутації живлення, захисту від переполюсовки, керування навантаженням і силових DC-вузлів.

Технічні характеристики

• Тип / канал: P-канальний
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): -100 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): -40 А
• Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): до -140 А
• Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): 0,060 Ом при VGS=-10 В
• Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): -2,0…-4,0 В
• Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
• Максимальна потужність розсіювання (PD): 200 Вт
• Діапазон / максимальна температура переходу (TJ): до +175 °C
• Тип корпусу: TO-220

Функціонал

• Комутація електричного навантаження
• Захист ліній живлення від переполюсовки
• Верхня комутація ліній живлення

Розпіновка

Транзистор виконаний у корпусі TO-220. Якщо дивитися на сторону з маркуванням (виводами вниз; для SMD — у стандартній орієнтації згідно креслення корпусу), основна цокольовка така: 1. Gate (G, Затвор) — керуючий вивід. 2. Drain (D, Сток) — силовий вивід; теплова/металева площадка корпусу, якщо вона є, зазвичай також з’єднана зі стоком. 3. Source (S, Витік) — силовий вивід витоку. Для SOT-223/DPAK/D2PAK велика теплова площадка електрично відповідає Drain (D).