N-ch; 40V; 75A; 330W; 0.0023 Ohm
Опис
IRF2804 — потужний N-канальний польовий MOSFET-транзистор із низьким опором відкритого каналу, призначений для силових схем із високим струмовим навантаженням та автомобільної електроніки.
Технічні характеристики
- Тип каналу: N-канальний
- Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 40 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Максимальний струм стоку, обмежений кристалом: 280 А при 25 °C
- Максимальний струм стоку, обмежений корпусом: 75 А
- Опір відкритого каналу RDS(on): 2 мОм (0,002 Ом) при VGS = 10 В
- Максимальна потужність розсіювання: 330 Вт
- Максимальна робоча температура: +175 °C
- Порогова напруга затвора VGS(th): 2–4 В
- Корпус: TO-220AB, вивідний монтаж THT
Функціонал
- Комутація високих струмів
- Робота як силовий електронний ключ
- Зниження втрат потужності завдяки низькому опору відкритого каналу
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO-220 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 40 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,002 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 75 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 330 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 13 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 130 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 95,70 ₴



