N-ch; 600V; 4A; 25W; 2 Ohm
Опис
STP4NK60ZFP — високовольтний N-канальний польовий MOSFET-транзистор із захистом затвора від статичної електрики, призначений для імпульсних блоків живлення, зарядних пристроїв та інверторів. Розпіновка корпусу TO-220FP при погляді на маркування: вивід 1 — затвор (Gate), 2 — стік (Drain), 3 — витік (Source).
Технічні характеристики
- Тип каналу: N-канальний
- Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 600 В
- Максимальний струм стоку (ID): 4 А при 25 °C
- Опір відкритого каналу RDS(on): типовий 1,76 Ом, максимальний 2 Ом
- Максимальна потужність розсіювання: 25 Вт
- Корпус: TO-220FP, повністю ізольований пластиковий
Функціонал
- Високовольтна комутація електричних кіл
- Робота як електронний ключ в імпульсних джерелах живлення
- Комутація в зарядних пристроях та інверторах
- Захист затвора від пробою статичною електрикою за допомогою вбудованого стабілітрона
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STM |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO-220F |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 30 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 600 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 2 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 3-4,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 4 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 25 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 12 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 29 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 19,72 ₴



