Транзистор польовий FQP6N90C

Опис

FQP6N90C — потужний високовольтний N-канальний MOSFET-транзистор, призначений для імпульсних джерел живлення (SMPS), схем активної корекції коефіцієнта потужності (PFC) та електронних баластів.

Розпіновка при розташуванні транзистора стороною з маркуванням до себе, виводами вниз, зліва направо: 1 — Gate (затвор), керуючий вивід; 2 — Drain (стік), центральний вивід, електрично з'єднаний з металевою тепловідвідною підкладкою корпусу; 3 — Source (витік).

Технічні характеристики

• Тип: N-канальний MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 900 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 6 А при температурі корпусу 25 °C; 3,8 А при 100 °C
• Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): 24 А
• Опір відкритого каналу (RDS(on)): до 2,3 Ом, типово 1,93 Ом при VGS = 10 В
• Максимальна напруга затвор-витік (VGSS): ±30 В
• Порогова напруга затвора (VGS(th)): 3–5 В
• Повний заряд затвора (Qg): типово 30 нКл
• Максимальна потужність розсіювання (PD): 167 Вт при температурі корпусу 25 °C
• Діапазон робочих температур: -55...+150 °C
• Корпус: TO-220, пластиковий з металевою тепловідвідною підкладкою

Функціонал

• Комутація високовольтних електричних кіл
• Імпульсне перемикання силових навантажень
• Робота у схемах активної корекції коефіцієнта потужності