+380 (96) 723-12-25
+380 (95) 427-17-95
+380 (93) 170-21-75
НІКОМ радіо-маркет

Транзистор польовий IRF7466TR

  • Готово до відправки
  • Код: A118058

24,36 ₴

Транзистор польовий IRF7466TR
Транзистор польовий IRF7466TRГотово до відправки
24,36 ₴

Компанія тимчасово не приймає замовлення

повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
N-ch; 30V; 11A; 2.5W; 12.5 mOhm

Опис

IRF7466TR — N-канальний MOSFET-транзистор середньої потужності в компактному SMD-корпусі SO-8, призначений для високочастотних DC-DC перетворювачів, синхронного випрямлення та комутації навантажень. Має низький опір відкритого каналу та підтримує керування логічним рівнем.

Розпіновка корпусу SO-8: виводи 1, 2, 3 — Source (витік); вивід 4 — Gate (затвор); виводи 5, 6, 7, 8 — Drain (стік).

Технічні характеристики

  • Тип: N-канальний MOSFET
  • Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 30 В
  • Максимальний струм стоку (ID): 11 А при температурі 25 °C
  • Опір відкритого каналу (RDS(on)): 12,5 мОм при VGS = 10 В
  • Порогова напруга затвору (VGS(th)): 1–3 В
  • Потужність розсіювання (PD): 2,5 Вт
  • Діапазон робочих температур: -55...+150 °C
  • Корпус: SO-8, SMD

Функціонал

  • Комутація навантажень постійного струму
  • Робота у високочастотних DC-DC перетворювачах
  • Синхронне випрямлення
  • Керування сигналом логічного рівня
Характеристики
Основні
ВиробникNXP Semiconductors
Користувальницькі характеристики
КорпусSO-8
Число каналів1
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт30
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,0125
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт1-3
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер11
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт2,5
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд10
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд13
Інформація для замовлення
  • Ціна: 24,36 ₴