N-ch; 30V; 11A; 2.5W; 12.5 mOhm
Опис
IRF7466TR — N-канальний MOSFET-транзистор середньої потужності в компактному SMD-корпусі SO-8, призначений для високочастотних DC-DC перетворювачів, синхронного випрямлення та комутації навантажень. Має низький опір відкритого каналу та підтримує керування логічним рівнем.
Розпіновка корпусу SO-8: виводи 1, 2, 3 — Source (витік); вивід 4 — Gate (затвор); виводи 5, 6, 7, 8 — Drain (стік).
Технічні характеристики
- Тип: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 30 В
- Максимальний струм стоку (ID): 11 А при температурі 25 °C
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): 12,5 мОм при VGS = 10 В
- Порогова напруга затвору (VGS(th)): 1–3 В
- Потужність розсіювання (PD): 2,5 Вт
- Діапазон робочих температур: -55...+150 °C
- Корпус: SO-8, SMD
Функціонал
- Комутація навантажень постійного струму
- Робота у високочастотних DC-DC перетворювачах
- Синхронне випрямлення
- Керування сигналом логічного рівня
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | SO-8 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,0125 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1-3 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 11 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 2,5 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 10 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 13 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 24,36 ₴


