Транзистор польовий IRF7105

Опис

IRF7105 — комплементарна збірка з N-канального та P-канального MOSFET-транзисторів в одному корпусі SO-8 для поверхневого монтажу. Призначена для компактних схем керування навантаженням, Н-мостів та перетворювачів напруги.

Технічні характеристики

• Тип: комплементарна MOSFET-збірка, N-канал + P-канал
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 25 В для N-каналу, -25 В для P-каналу
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 3,5 А для N-каналу, -2,3 А для P-каналу при 25°C
• Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): 14 А для N-каналу, -10 А для P-каналу
• Опір відкритого каналу (RDS(on)) при VGS = 10 В: 83 мОм для N-каналу, 160 мОм для P-каналу
• Опір відкритого каналу (RDS(on)) при VGS = 4,5 В: 140 мОм для N-каналу, 300 мОм для P-каналу
• Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
• Загальний заряд затвора (Qg): 9,4 нКл для N-каналу, 11 нКл для P-каналу
• Максимальна потужність розсіювання: 2 Вт
• Діапазон робочих температур: -55...+150°C
• Корпус: SO-8 (SOIC-8)
• Кількість виводів: 8
• Тип монтажу: поверхневий (SMD)

Функціонал

• Комутація навантажень за допомогою N-канального та P-канального MOSFET
• Робота у схемах Н-мостів
• Робота в перетворювачах напруги
• Керування навантаженням у компактних електронних схемах

Розпіновка

• 1 — Source 1: витік P-каналу
• 2 — Gate 1: затвор P-каналу
• 3 — Source 2: витік N-каналу
• 4 — Gate 2: затвор N-каналу
• 5 — Drain 2: стік N-каналу
• 6 — Drain 2: стік N-каналу
• 7 — Drain 1: стік P-каналу
• 8 — Drain 1: стік P-каналу

Нумерація виводів ведеться від ключа або крапки на корпусі проти годинникової стрілки.