(N-Ch) 60V; 300mA; 5,3Om; 830mW)
Опис
2N7000 — малопотужний N-канальний MOSFET-транзистор у корпусі TO-92, призначений для перемикання слабких сигналів та керування невеликими навантаженнями. Керується напругою на затворі та підтримує швидке перемикання.
Технічні характеристики
- Тип транзистора: MOSFET, DMOS
- Тип каналу: N-канальний
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 60 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 200 мА
- Максимальний імпульсний струм стоку: 500 мА
- Порогова напруга затвору (VGS(th)): 0,8–3 В
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): близько 1,2–5 Ом при VGS = 10 В
- Максимальна розсіювана потужність: 350 мВт
- Корпус: TO-92
- Розпіновка при погляді на пласку сторону корпусу: пін 1 — витік (Source, S); пін 2 — затвор (Gate, G); пін 3 — стік (Drain, D)
Функціонал
- Перемикання слабких електричних сигналів
- Комутація малопотужних навантажень
- Керування навантаженнями від цифрових схем і мікроконтролерів
Характеристики
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Виробник | CJ |
| Корпус | TO-92 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 40 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 60 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 1,2 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 0,8-3 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 0,2 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 0,4 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 10 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 10 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 4,18 ₴


