(N-Ch) 74W; 400V; 5,5A; 1Ohm
Опис
IRF730 — потужний N-канальний MOSFET-транзистор у корпусі TO-220, призначений для комутації високої напруги та струму в джерелах живлення, перетворювачах і системах керування двигунами.
Технічні характеристики
- Тип транзистора: MOSFET
- Тип каналу: N-канальний
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 400 В
- Максимальний струм стоку (ID): 5,5 А при температурі корпусу 25 °C
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): 1 Ом
- Максимальна розсіювана потужність: 74 Вт
- Корпус: TO-220
- Розпіновка: пін 1 — затвор (Gate, G); пін 2 — стік (Drain, D); пін 3 — витік (Source, S)
- Металева пластина корпусу з'єднана зі стоком (Drain)
Функціонал
- Комутація високовольтних навантажень
- Робота в джерелах живлення
- Робота в перетворювачах напруги
- Керування електродвигунами
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO-220 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 400 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 1 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 5,5 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 74 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 10 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 38 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 28,42 ₴



