Транзистор польовий IRF7319

Опис

IRF7319 — здвоєний MOSFET-транзистор у корпусі SO-8 для поверхневого монтажу, що містить один N-канальний та один P-канальний транзистор. Призначений для комутації навантажень, побудови мостових схем і керування малопотужними електродвигунами.

Технічні характеристики

• Тип транзистора: здвоєний MOSFET, HEXFET
• Канали: 1×N-канальний, 1×P-канальний
• Максимальна напруга стік-витік (VDSS), N-канал: 30 В
• Максимальна напруга стік-витік (VDSS), P-канал: -30 В
• Максимальний струм стоку (ID), N-канал: 6,5 А
• Максимальний струм стоку (ID), P-канал: -4,9 А
• Опір відкритого каналу (RDS(on)), N-канал: 0,029 Ом при VGS = 10 В; 0,046 Ом при VGS = 4,5 В
• Опір відкритого каналу (RDS(on)), P-канал: 0,065 Ом при VGS = -10 В; 0,095 Ом при VGS = -4,5 В
• Порогова напруга затвору (VGS(th)), N-канал: 1–3 В
• Порогова напруга затвору (VGS(th)), P-канал: від -1 до -3 В
• Максимальна розсіювана потужність: 2 Вт для кожного каналу
• Корпус: SO-8
• Тип монтажу: SMD
• Розпіновка: пін 1 — витік P-каналу (S2); пін 2 — затвор P-каналу (G2); пін 3 — витік N-каналу (S1); пін 4 — затвор N-каналу (G1); піни 5, 6 — стік N-каналу (D1); піни 7, 8 — стік P-каналу (D2)

Функціонал

• Комутація навантажень
• Побудова мостових схем
• Керування малопотужними електродвигунами
• Керування навантаженням у ШІМ-схемах
• Керування від цифрових схем з рівнем 4,5 В