(N-Ch) 74W; 400V; 5,5A; 1Ohm
Опис
IRF730S — потужний N-канальний MOSFET-транзистор у корпусі D2PAK (TO-263) для поверхневого монтажу, призначений для високовольтної та високошвидкісної комутації в силових електронних схемах.
Технічні характеристики
- Тип транзистора: MOSFET
- Тип каналу: N-канальний
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 400 В
- Максимальний струм стоку (ID): 5,5 А при температурі корпусу 25 °C
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): 1,0 Ом
- Максимальна розсіювана потужність: 74 Вт
- Корпус: D2PAK (TO-263), SMD
- Стійкість до лавинного пробою: Avalanche Rated
Функціонал
- Високовольтна комутація навантажень
- Робота в імпульсних блоках живлення (SMPS)
- Перетворення напруги в DC-DC та DC-AC перетворювачах
- Керування електроприводами малої потужності
- Робота в електронних баластах
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | SMD-220 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 400 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 1 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 5,5 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 74 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 10 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 38 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 33,06 ₴


