Транзистор польовий CMH12N90

Опис

це N-канальний високовольтний MOSFET з ізольованим затвором, розрахований на високовольтну силову комутацію. Застосовується в SMPS, інверторах, PFC, UPS, перетворювачах і високовольтних ключових каскадах.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний високовольтний MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 900 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 12 А
• Опір відкритого каналу RDS(on): typ 0,9 Ом за карткою; datasheet Cmos дає близько 1,1 Ом max/nom залежно умови
• Порогова напруга VGS(th): до ≈5 В
• Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±30 В
• Потужність розсіювання (PD): ≈280 Вт
• Температура переходу / робочий діапазон: -55…+150 °C
• Повний заряд затвора (Qg): ≈83 нКл
• Ємності: Ciss ≈3 нФ; Coss ≈200 пФ; Crss ≈30 пФ
• Корпус: TO-247

Функціонал

• SMPS
• інверторах
• PFC
• UPS
• перетворювачах
• високовольтних ключових каскадах

Розпіновка

Корпус TO-247, вид на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також з’єднана з Drain (D).