N-ch; 75 В, 80 А, 11 мОм
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS і ключах навантаження.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 75 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 80 А
- Опір відкритого каналу RDS(on): typ 9,5 мОм; max 11 мОм @10 В
- Порогова напруга VGS(th): typ ≈3 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): 300 Вт
- Температура переходу / робочий діапазон: -55…+175 °C
- Ємності: Ciss ≈3,7 нФ
- Корпус: D2PAK
Функціонал
- DC-DC перетворювачах
- BMS
- автомобільній електроніці
- драйверах двигунів
- UPS
- ключах навантаження
Розпіновка
Корпус D2PAK, стандартний одиночний силовий MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S) Велика металева/теплова площадка також Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ST |
Інформація для замовлення
- Ціна: 74,82 ₴



