Транзистор польовий LWT1H022H8
- Готово до відправки
- Код: A118555
128,76 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
Транзистор польовий LWT1H022H8Готово до відправки
128,76 ₴
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
N-канальний, 200А, 100В, Rds(on)=2.5мОм, Vgs=±20В, Pd=227Вт
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS і ключах навантаження.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 100 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 200 А
- Опір відкритого каналу RDS(on): 2,5 мОм @10 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): 227 Вт
- Корпус: TO-220AB
Функціонал
- DC-DC перетворювачах
- BMS
- автомобільній електроніці
- драйверах двигунів
- UPS
- ключах навантаження
Розпіновка
Корпус TO-220AB, вид на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також з’єднана з Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Noname |
Інформація для замовлення
- Ціна: 128,76 ₴