N-Channel; 14A; 100W; 0.3 мкс
Опис
це N-канальний високовольтний MOSFET з ізольованим затвором, розрахований на високовольтну силову комутацію. Застосовується в SMPS, інверторах, PFC, UPS, перетворювачах і високовольтних ключових каскадах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний високовольтний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 600 В для оригінального Toshiba 2SK2750
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 3,5 А (оригінал Toshiba; картка AOS пише 14 А)
- Максимальний імпульсний струм (IDM): 14 А
- Опір відкритого каналу RDS(on): typ 1,7 Ом @10 В
- Порогова напруга VGS(th): 2…4 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±30 В
- Потужність розсіювання (PD): 35 Вт (оригінал Toshiba; картка — 100 Вт)
- Температура переходу / робочий діапазон: -55…+150 °C
- Енергія одиночного лавинного імпульсу (EAS): ≈201 мДж
- Корпус: TO-220F
Функціонал
- SMPS
- інверторах
- PFC
- UPS
- перетворювачах
- високовольтних ключових каскадах
Розпіновка
Корпус TO-220F, Toshiba 2SK2750-family, вид на маркування, виводи вниз: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Задня поверхня ізольованого FullPak не є відкритим металевим Drain.
Інформація для замовлення
- Ціна: 42,92 ₴



