Транзистор польовий IRFB3607

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS і ключах навантаження.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 75 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 80 А
• Максимальний імпульсний струм (IDM): ≈320 А
• Опір відкритого каналу RDS(on): max 9 мОм @10 В (картка 7,3 мОм)
• Порогова напруга VGS(th): 2…4 В
• Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
• Потужність розсіювання (PD): 140 Вт
• Температура переходу / робочий діапазон: -55…+175 °C
• Повний заряд затвора (Qg): ≈56 нКл
• Корпус: TO-220AB

Функціонал

• DC-DC перетворювачах
• BMS
• автомобільній електроніці
• драйверах двигунів
• UPS
• ключах навантаження

Розпіновка

Корпус TO-220AB, вид на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також з’єднана з Drain (D).