Транзистор польовий IRFB4110

Опис

це N-канальний MOSFET, UMW/IRFB4110 marking з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS і ключах навантаження.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний MOSFET, UMW/IRFB4110 marking
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 100 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 120 А у картці UMW; оригінальний Infineon — 180 А
• Опір відкритого каналу RDS(on): 37 мОм у картці UMW; оригінальний Infineon — max ≈4,5 мОм
• Порогова напруга VGS(th): 2…4 В
• Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
• Потужність розсіювання (PD): 370 Вт
• Температура переходу / робочий діапазон: -55…+175 °C
• Повний заряд затвора (Qg): ≈150 нКл для оригінального IRFB4110
• Корпус: TO-220AB

Функціонал

• DC-DC перетворювачах
• BMS
• автомобільній електроніці
• драйверах двигунів
• UPS
• ключах навантаження

Розпіновка

Корпус TO-220AB, вид на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також з’єднана з Drain (D).