Транзистор польовий IRL3803S-VB

Опис

це N-канальний MOSFET, VBsemi з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS і ключах навантаження.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний MOSFET, VBsemi
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 30 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 98 А
• Максимальний імпульсний струм (IDM): 300 А
• Опір відкритого каналу RDS(on): 2,4 мОм @10 В; 2,7 мОм @4,5 В
• Порогова напруга VGS(th): 1,5…2,5 В
• Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
• Потужність розсіювання (PD): 250 Вт @Tc=25°C (175 Вт @70°C); картка вказує 175 Вт
• Температура переходу / робочий діапазон: -55…+175 °C
• Повний заряд затвора (Qg): typ 82 нКл
• Корпус: D2PAK

Функціонал

• DC-DC перетворювачах
• BMS
• автомобільній електроніці
• драйверах двигунів
• UPS
• ключах навантаження

Розпіновка

Корпус D2PAK, стандартний одиночний силовий MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S) Велика металева/теплова площадка також Drain (D).