N-Channel; 30V; 80A; 101W; 3.1mΩ
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS і ключах навантаження.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 30 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 80 А
- Опір відкритого каналу RDS(on): 3,1 мОм @10 В
- Порогова напруга VGS(th): typ ≈1,8 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): 101 Вт
- Температура переходу / робочий діапазон: -55…+150 °C
- Повний заряд затвора (Qg): ≈50 нКл @10 В
- Ємності: Ciss ≈2,343 нФ; Crss ≈300 пФ
- Корпус: TO-252
Функціонал
- DC-DC перетворювачах
- BMS
- автомобільній електроніці
- драйверах двигунів
- UPS
- ключах навантаження
Розпіновка
Корпус TO-252, стандартний одиночний силовий MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S) Велика металева/теплова площадка також Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 30,16 ₴



