P-Ch 55V; 74A;150W; 0,02Ohm
Опис
це P-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Типове застосування: верхні ключі живлення, захист від переполюсовки, батарейні системи, DC-DC перетворювачі та силова комутація.
Технічні характеристики
- Тип / канал: P-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): -55 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): -74 А
- Максимальний імпульсний струм (IDM): високий імпульсний струм, SOA-limited
- Опір відкритого каналу RDS(on): max 20 мОм @-10 В
- Порогова напруга VGS(th): -2…-4 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): 200 Вт для оригінального Infineon; картка — 150 Вт
- Температура переходу / робочий діапазон: -55…+175 °C
- Повний заряд затвора (Qg): ≈120 нКл
- Корпус: TO-220AB
Функціонал
- верхні ключі живлення
- захист від переполюсовки
- батарейні системи
- DC-DC перетворювачі
- силова комутація
Розпіновка
Корпус TO-220AB, вид на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також з’єднана з Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 33,06 ₴



