Транзистор польовий WGP10N60S

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором, розрахований на високовольтну силову комутацію. Застосовується в SMPS, інверторах, PFC, UPS, перетворювачах і високовольтних ключових каскадах.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 600 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 10 А (6,6 А @Tj=100°C)
• Опір відкритого каналу RDS(on): typ 0,65 Ом; max 0,72 Ом @10 В
• Порогова напруга VGS(th): 2…4 В
• Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±30 В
• Потужність розсіювання (PD): 120 Вт
• Температура переходу / робочий діапазон: -55…+150 °C
• Повний заряд затвора (Qg): typ 44 нКл
• Енергія одиночного лавинного імпульсу (EAS): ≈320 мДж
• Корпус: TO-220AB

Функціонал

• SMPS
• інверторах
• PFC
• UPS
• перетворювачах
• високовольтних ключових каскадах

Розпіновка

Корпус TO-220AB, вид на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також з’єднана з Drain (D).