N-CH, 400V; 10A; 0,55OHM
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS і ключах навантаження.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 400 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 10 А
- Максимальний імпульсний струм (IDM): ≈40 А
- Опір відкритого каналу RDS(on): max ≈0,55 Ом @10 В
- Порогова напруга VGS(th): 2…4 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): 125 Вт
- Температура переходу / робочий діапазон: -55…+150 °C
- Корпус: TO-220AB
Функціонал
- DC-DC перетворювачах
- BMS
- автомобільній електроніці
- драйверах двигунів
- UPS
- ключах навантаження
Розпіновка
Корпус TO-220AB, вид на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також з’єднана з Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO-220 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 30 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 400 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,55 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 10 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 35 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 18 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 41 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 49,88 ₴



