P-ch; 200V; 11A; 125W; 0.5 Ohm
Опис
це P-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Типове застосування: верхні ключі живлення, захист від переполюсовки, батарейні системи, DC-DC перетворювачі та силова комутація.
Технічні характеристики
- Тип / канал: P-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): -200 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): -11 А
- Максимальний імпульсний струм (IDM): ≈-44 А
- Опір відкритого каналу RDS(on): max ≈0,5 Ом @-10 В
- Порогова напруга VGS(th): -2…-4 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): 125 Вт
- Температура переходу / робочий діапазон: -55…+150 °C
- Корпус: TO-220AB
Функціонал
- верхні ключі живлення
- захист від переполюсовки
- батарейні системи
- DC-DC перетворювачі
- силова комутація
Розпіновка
Корпус TO-220AB, вид на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також з’єднана з Drain (D).
Інформація для замовлення
- Ціна: 41,18 ₴



