Транзистор польовий BS250FTA

Опис

це P-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Типове застосування: верхні ключі живлення, захист від переполюсовки, батарейні системи, DC-DC перетворювачі та силова комутація.

Технічні характеристики

• Тип / канал: P-канальний MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): -45 В для класичного BS250FTA; картка TECH PUBLIC — 50 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): -90 мА (класичний Diodes BS250F; картка — 130 мА)
• Максимальний імпульсний струм (IDM): -1,6 А
• Опір відкритого каналу RDS(on): max 14 Ом @-10 В
• Порогова напруга VGS(th): -1…-3,5 В
• Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
• Потужність розсіювання (PD): 330 мВт (класичний); картка — 225 мВт
• Температура переходу / робочий діапазон: -55…+150 °C
• Ємності: Ciss typ 25 пФ
• Корпус: SOT-23

Функціонал

• верхні ключі живлення
• захист від переполюсовки
• батарейні системи
• DC-DC перетворювачі
• силова комутація

Розпіновка

Корпус SOT-23, Diodes/Zetex BS250F-family, вид зверху: 1. Source (S) 2. Gate (G) 3. Drain (D).