Транзистор польовий SPP11N80C3

Опис

це N-канальний MOSFET, VBsemi-версія з ізольованим затвором, розрахований на високовольтну силову комутацію. Застосовується в SMPS, інверторах, PFC, UPS, перетворювачах і високовольтних ключових каскадах.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний MOSFET, VBsemi-версія
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 800 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 12 А
• Опір відкритого каналу RDS(on): ≈0,37 Ом за карткою VBsemi
• Порогова напруга VGS(th): прибл. 2…4 В
• Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20…30 В залежно конкретної VBsemi-ревізії
• Потужність розсіювання (PD): 160 Вт
• Температура переходу / робочий діапазон: -55…+150 °C
• Корпус: TO-220AB

Функціонал

• SMPS
• інверторах
• PFC
• UPS
• перетворювачах
• високовольтних ключових каскадах

Розпіновка

Корпус TO-220AB, вид на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також з’єднана з Drain (D).