Транзистор польовий K100E08N1
- Готово до відправки
- Код: A118522
66,12 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
Транзистор польовий K100E08N1Готово до відправки
66,12 ₴
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
N-Ch; 80V; 100A; 255W; Rds(on) 0,0026–0,0032 Ом
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS і ключах навантаження.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 80 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): до 214 А за Toshiba absolute maximum; картка обмежує 100 А
- Максимальний імпульсний струм (IDM): високий імпульсний струм, package/SOA-limited
- Опір відкритого каналу RDS(on): typ 2,6 мОм; max 3,2 мОм @10 В
- Порогова напруга VGS(th): 2…4 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): 255 Вт
- Температура переходу / робочий діапазон: -55…+150 °C
- Повний заряд затвора (Qg): ≈130 нКл
- Корпус: TO-220AB
Функціонал
- DC-DC перетворювачах
- BMS
- автомобільній електроніці
- драйверах двигунів
- UPS
- ключах навантаження
Розпіновка
Корпус TO-220AB, вид на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також з’єднана з Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
Інформація для замовлення
- Ціна: 66,12 ₴