N-ch; MOSFET; 30В; 18а; 11W
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS і ключах навантаження.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 30 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 18 А @25 °C
- Максимальний імпульсний струм (IDM): 64 А
- Опір відкритого каналу RDS(on): max 20 мОм @10 В; 32 мОм @4,5 В
- Порогова напруга VGS(th): 1,5…2,6 В (typ 2,1 В)
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): 11 Вт
- Температура переходу / робочий діапазон: -55…+150 °C
- Повний заряд затвора (Qg): 7,1 нКл @4,5 В
- Корпус: DFN08
Функціонал
- DC-DC перетворювачах
- BMS
- автомобільній електроніці
- драйверах двигунів
- UPS
- ключах навантаження
Розпіновка
Корпус DFN3x3A-8L, вид зверху: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D) Exposed thermal pad також відноситься до Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ALPHA |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | DFN3X3-8 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,032 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1,5-2,6 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 23 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 16 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 4,3 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 15,8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 29 ₴



