N-ch; 200V; 2.6A; 25W; 1.5 Ohm
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS і ключах навантаження.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 200 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): ≈2,6 А за карткою IR
- Опір відкритого каналу RDS(on): ≈1,5 Ом за карткою
- Порогова напруга VGS(th): типово 2…4 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): 25 Вт
- Температура переходу / робочий діапазон: -55…+150 °C
- Корпус: D-Pack
Функціонал
- DC-DC перетворювачах
- BMS
- автомобільній електроніці
- драйверах двигунів
- UPS
- ключах навантаження
Розпіновка
Корпус D-Pack, стандартний одиночний силовий MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S) Велика металева/теплова площадка також Drain (D).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | D-Pak |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 200 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 1,5 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 2,6 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 25 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 8,2 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 14 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 24,36 ₴



