Транзистор польовий FDC606P

Опис

це P-канальний Logic-Level MOSFET з ізольованим затвором. Типове застосування: верхні ключі живлення, захист від переполюсовки, батарейні системи, DC-DC перетворювачі та силова комутація.

Технічні характеристики

• Тип / канал: P-канальний Logic-Level MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): -12 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): -6 А (оригінальний Fairchild/onsemi)
• Максимальний імпульсний струм (IDM): -20 А
• Опір відкритого каналу RDS(on): max 26 мОм @-4,5 В; 35 мОм @-2,5 В; 53 мОм @-1,8 В
• Порогова напруга VGS(th): -0,4…-1,5 В
• Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±8 В
• Потужність розсіювання (PD): 1,6 Вт
• Температура переходу / робочий діапазон: -55…+150 °C
• Повний заряд затвора (Qg): typ 18 / max 25 нКл
• Корпус: TSOT-23-6

Функціонал

• верхні ключі живлення
• захист від переполюсовки
• батарейні системи
• DC-DC перетворювачі
• силова комутація

Розпіновка

Корпус SuperSOT-6 / TSOT-23-6, вид зверху: 1. Source (S) 2. Drain (D) 3. Gate (G) 4. Drain (D) 5. Drain (D) 6. Drain (D) Кілька контактів Drain зменшують опір та покращують тепловідведення.