Транзистор польовий SUP75N06-08

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 60 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 75 А
• Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): 240 А
• Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): max ≈8 мОм для Vishay-референсу; картка VBsemi — 9,1 мОм
• Порогова напруга VGS(th): ≈2…4 В
• Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
• Потужність розсіювання (PD): 250 Вт у Vishay-референсі; картка — 110 Вт
• Температурний діапазон / Tj max: -55…+175 °C
• Корпус: TO-220

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Робота у BMS
• Робота в автомобільній електроніці
• Робота в драйверах двигунів
• Робота в UPS
• Силова комутація

Розпіновка

Корпус TO-220, дивимося на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік). У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також електрично з'єднана з Drain.