P-ch; 60V 1.8A 500mΩ 3.1W
Опис
це P-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Використовується для верхньої комутації живлення, захисту від переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силових ключів.
Технічні характеристики
- Тип / канал: P-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): -60 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): -1,8 А
- Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): до ≈-14 А
- Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): max ≈0,5 Ом @-10 В
- Порогова напруга VGS(th): -2…-4 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
- Потужність розсіювання (PD): 3,1 Вт
- Температурний діапазон / Tj max: -55…+150 °C
- Корпус: SOT-223
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Силова комутація
- Верхня комутація живлення
- Захист від переполюсовки
Розпіновка
Корпус SOT-223: 1=Gate (G), 2=Drain (D), 3=Source (S); велика площадка також Drain.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 20,88 ₴


