Транзистор польовий FS8205A

Опис

це подвійний N-канальний MOSFET зі спільним Source, два силові ключі в одному компактному корпусі. Типове застосування — захист Li-ion акумуляторів, BMS, ключі навантаження та DC-DC вузли.

Технічні характеристики

• Тип / канал: подвійний N-канальний MOSFET зі спільним Source
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 20 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): до 6 А за типовим FS8205A; картка TECH PUBLIC — 9 А
• Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): ≈31,5 мОм @2,5 В
• Порогова напруга VGS(th): ≈1,2 В
• Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±10 В
• Потужність розсіювання (PD): 1,5 Вт
• Температурний діапазон / Tj max: -55…+150 °C
• Повний заряд затвора (Qg): ≈5,7 нКл @4,5 В
• Ємності: Ciss ≈466 пФ; Coss ≈65 пФ; Crss ≈58 пФ
• Корпус: SOT-23-6

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Робота у BMS

Розпіновка

Корпус SOT-23-6, подвійний N-MOSFET зі спільним витоком: 1. D1 — Drain першого MOSFET 2. S — Source (спільний вузол) 3. G1 — Gate першого MOSFET 4. G2 — Gate другого MOSFET 5. S — Source (спільний вузол) 6. D2 — Drain другого MOSFET.