Транзистор польовий IRF9540N

Опис

це P-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Використовується для верхньої комутації живлення, захисту від переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силових ключів.

Технічні характеристики

• Тип / канал: P-канальний MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): -100 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): -23 А
• Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): до ≈-92 А
• Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): max 117 мОм @-10 В
• Порогова напруга VGS(th): -2…-4 В
• Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
• Потужність розсіювання (PD): 140 Вт
• Температурний діапазон / Tj max: -55…+175 °C
• Повний заряд затвора (Qg): ≈64,7 нКл
• Корпус: TO-220AB

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Силова комутація
• Верхня комутація живлення
• Захист від переполюсовки

Розпіновка

Корпус TO-220AB, дивимося на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік). У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також електрично з'єднана з Drain.