Транзистор польовий IRF250P225

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 250 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 69…70 А
• Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): typ ≈18 мОм; max ≈22 мОм @10 В для референсної версії
• Порогова напруга VGS(th): ≈4 В
• Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
• Потужність розсіювання (PD): 313 Вт референс; JSMSEMI-картка — 400 Вт
• Температурний діапазон / Tj max: -55…+175 °C
• Повний заряд затвора (Qg): ≈96 нКл
• Ємності: Ciss ≈4,897 нФ; Crss ≈6 пФ
• Корпус: TO-247

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Робота у BMS
• Робота в автомобільній електроніці
• Робота в драйверах двигунів
• Робота в UPS
• Силова комутація

Розпіновка

Корпус TO-247, дивимося на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік). У неізольованому силовому корпусі металева задня пластина/tab також електрично з'єднана з Drain.