Транзистор польовий IRFPF40

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для швидкої високовольтної комутації в імпульсних джерелах живлення (SMPS), інверторах, PFC-вузлах, перетворювачах та інших силових каскадах.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 900 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 4,7 А
• Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): ≈19 А
• Опір відкритого каналу (RDS(on)): 2,5 Ом @10 В
• Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): 2…4 В
• Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
• Максимальна потужність розсіювання (PD): 150 Вт
• Робоча / максимальна температура переходу: -55…+150 °C
• Повний заряд затвора (Qg): ≈120 нКл
• Корпус: TO-247

Функціонал

• Робота в інверторах
• Робота у вузлах PFC

Розпіновка

Корпус TO-247, якщо дивитися на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік). У неізольованому корпусі металева задня пластина/фланець також з’єднана з Drain (D).