Транзистор польовий IRFD9110

Опис

це P-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, імпульсні джерела живлення, драйвери та силові комутаційні вузли.

Технічні характеристики

• Тип: P-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
• Корпус: HD-1
• Монтаж: THT (вивідний монтаж)
• Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 100 В
• Постійний струм стоку (ID), за карткою: 0,7 А
• Потужність розсіювання (PD), за карткою: 1,3 Вт
• Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 1,2 Ом

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Робота в інверторах
• Робота в імпульсних джерелах живлення
• Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
• Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус HD-1 / HVMDIP (4 виводи). У IRFD-серії фізично виведені Gate (G), Source (S) та два електрично об'єднані Drain (D) для зменшення опору й тепловідведення. Орієнтацію номерів потрібно звіряти за ключем корпусу в datasheet конкретної моделі.