Транзистор польовий BUZ11A

Опис

це N-канальний силовий польовий транзистор (MOSFET) з ізольованим затвором збагаченого типу. Він використовується в низьковольтних DC-DC перетворювачах, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, BMS та силових ключах. Максимальна напруга стік-витік становить 50 В.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 50 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 30 А за карткою товару
• Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): до 104 А для поширеної Infineon/Siemens-версії
• Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): 40 мОм за карткою; у частини оригінальних ревізій близько 55 мОм
• Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): приблизно 2,1…4 В
• Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
• Максимальна потужність розсіювання (PD): 75 Вт
• Діапазон / максимальна температура переходу (TJ): -55…+150 °C
• Тип корпусу: TO-220AB

Функціонал

• Комутація електричного навантаження
• Робота у ключових каскадах перетворювачів живлення
• Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
• Керування живленням в акумуляторних вузлах

Розпіновка

Транзистор виконаний у корпусі TO-220AB. Якщо дивитися на сторону з маркуванням (виводами вниз; для SMD — у стандартній орієнтації згідно креслення корпусу), основна цокольовка така: 1. Gate (G, Затвор) — керуючий вивід. 2. Drain (D, Сток) — силовий вивід; теплова/металева площадка корпусу, якщо вона є, зазвичай також з’єднана зі стоком. 3. Source (S, Витік) — силовий вивід витоку. Для SOT-223/DPAK/D2PAK велика теплова площадка електрично відповідає Drain (D).